锑化铟 Indium antimonide
物竞编号 094Q
分子式 InSb
分子量 236.57
标签 半导体材料

编号系统

CAS号：1312-41-0

MDL号：MFCD00016146

EINECS号：215-192-3

RTECS号：NL1105000

BRN号：暂无

PubChem号：24874065

物性数据

1.       性状：具有金属光泽的化合物型半导体，其晶体结构与GaSb相同。

2.       密度（g/mL,25℃）：5.78

3.       相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定

4.       熔点（ºC）：525

5.       沸点（ºC,常压）：未确定

6.       沸点（ºC,0.05mmHg）：未确定

7.       折射率（n20/D）：未确定

8.       闪点（ºF）：未确定

9.       比旋光度（º）：未确定

10.    自燃点或引燃温度（ºC）：未确定

11.    蒸气压（mmHg,719ºC）：未确定

12.    饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定

13.    燃烧热（KJ/mol）：未确定

14.    临界温度（ºC）：未确定

15.    临界压力（KPa）：未确定

16.    油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定

17.    爆炸上限（%,V/V）：未确定

18.    爆炸下限（%,V/V）：未确定

19.    溶解性：不溶于水

毒理学数据

1、急性毒性：大鼠引入腹膜LD50：3700mg/kg

生态学数据

对是水稍微有危害的不要让未稀释或大量的产品接触地下水、水道或者污水系统，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。

分子结构数据

1、摩尔折射率：无可用的

2、摩尔体积（cm3/mol）：无可用的

3、等张比容（90.2K）：无可用的

4、表面张力（dyne/cm）：无可用的

5、介电常数：无可用的

6、极化率（10-24cm3）：无可用的

7、单一同位素质量：235.8077 Da

8、标称质量：236 Da

9、平均质量：236.578 Da

计算化学数据

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无

2.氢键供体数量:0

3.氢键受体数量:0

4.可旋转化学键数量:0

5.互变异构体数量:无

6.拓扑分子极性表面积0

7.重原子数量:2

8.表面电荷:0

9.复杂度:10

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:1

性质与稳定性

具有介于离子键与共价键中间的性质，禁带范围比较小(0.17eV)。电子迁移度大。可用于空穴元件及计算机。

贮存方法

保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置

合成方法

1.将20g铟、21.22g锑置于石英盘中，装进石英管内，在氢气流或惰性气流中将石英管加热至530～540℃，使之反应。

2.单晶制法与GaSb相同。能够采用横形布里奇曼制单晶法，但普通多采用拉晶法进行。为了得到高纯结晶都是使用高纯原料。

用途

是制作波长为3～5μｍ的红外探测器的重要材料，用于制光伏型或光导型单元、多元及焦平面红外探测器以及磁敏器件。

安全信息

危险运输编码：UN 1549 6.1/PG 3

危险品标志：有害 危害环境

安全标识：S61

危险标识：R20/22 R51/53

文献

暂无

备注

暂无

表征图谱

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