砷化镓 Gallium arsenide
物竞编号 0934
分子式 GaAs
分子量 144.64
标签 半导体材料

编号系统

CAS号：1303-00-0

MDL号：MFCD00011017

EINECS号：215-114-8

RTECS号：LW8800000

BRN号：暂无

PubChem号：24859765

物性数据

1.       性状：立方晶系闪锌矿型结晶。无气味。

2.       密度（g/mL,25℃）：6.307

3.       相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定

4.       熔点（ºC）：1238

5.       沸点（ºC,常压）：未确定

6.       沸点（ºC,0.05mmHg）：未确定

7.       折射率（n20/D）：未确定

8.       闪点（ºC）：未确定

9.       比旋光度（º）：未确定

10.    自燃点或引燃温度（ºC）：未确定

11.    蒸气压（mmHg,20ºC）：未确定

12.    饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定

13.    燃烧热（KJ/mol）：未确定

14.    临界温度（ºC）：未确定

15.    临界压力（KPa）：未确定

16.    油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定

17.    爆炸上限（%,V/V）：未确定

18.    爆炸下限（%,V/V）：未确定

19.    溶解性：与水反应

毒理学数据

1、急性毒性：大鼠引入腹膜LD50：10gm/kg：动作失调
             小鼠引入腹膜LD50：4700mg/kg

生态学数据

对水是极其危害的，即使是少量产品渗入地下也会对饮用水造成危害，若无政府许可勿将产品排入周围环境。对水中有机物有危害

分子结构数据

1、摩尔折射率：无可用的

2、摩尔体积（cm3/mol）：无可用的

3、等张比容（90.2K）：无可用的

4、表面张力（dyne/cm）：无可用的

5、介电常数：无可用的

6、极化率（10-24cm3）：无可用的

7、单一同位素质量：143.847178 Da

8、标称质量：144 Da

9、平均质量：144.6446 Da

计算化学数据

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无

2.氢键供体数量:0

3.氢键受体数量:0

4.可旋转化学键数量:0

5.互变异构体数量:无

6.拓扑分子极性表面积0

7.重原子数量:2

8.表面电荷:0

9.复杂度:10

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:1

性质与稳定性

如果遵照规格使用和储存则不会分解，未有已知危险反应，避免酸、水分/潮湿.

为一种化合物型半导体，电流通过p-n结，直接发光，可制成激光或发光二极管。此外，本品还可用作功能元件，用于微波振荡、毫米波放大、光通讯等方面。

贮存方法

保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置

合成方法

图XIII-20   砷化镓的制备装置

砷化镓的制备装置如图所示，先往一端封闭的透明石英安瓿中送入装有纯镓的石英盘，然后加入纯砷，在5×10-6Torr(1Torr=133322Pa)下，真空封口。砷的加入量为其当量的1.1～1.2倍(因为砷是利用蒸气压控制的，所以加入量必须比充满整个安瓿还要多一些)。为防止砷化镓及盘受潮湿，必须向盘里面喷砂大约150～300次。将上述安瓿按图所示装好，装有砷的A炉加热到610℃，装有镓的B炉加热到1250℃(根据安瓿的大小，可按砷摩尔量的1.1～1.2倍加入之)。

加热到610℃的砷的蒸气压为101.325kPa，与加热到1250℃的镓进行反应，产生砷化镓。经过4～5h后，将安瓿每1h往A炉拉出5～20mm，则从盘的前端逐渐生长出单晶。

用途

用于制造光电器件（ＬＣＤ），激光器（ＬＤ），场效应晶体管（ＦＥＴ），高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ），异质结双极晶体管（ＨＢＴ），高速器件和微波单片集成电路（ＭＭＩＣ），微波／毫米波集成电路（ＭＩＭＩＣ），高速集成电路，太阳电池。

安全信息

危险运输编码：UN 1557 6.1/PG 2

危险品标志：有毒 危害环境

安全标识：S28 S45 S60 S61

危险标识：R23/25 R50/53

文献

暂无

备注

暂无

表征图谱

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