物竞编号 174X
分子式 H4Si
分子量 32.12
标签 四氢化硅, 甲硅烷, 甲矽烷, Silicon tetrahydride, 超临界溶剂, 半导体材料, 电子特种气体原料及中间体

编号系统

CAS号:7803-62-5

MDL号:MFCD00011228

EINECS号:232-263-4

RTECS号:VV1400000

BRN号:暂无

PubChem号:暂无

物性数据

1.       性状:无色气体,有大蒜恶心气味。

2.       密度(g/mL,25°C):1.44

3.       相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):1.1

4.       熔点(ºC):-185

5.       沸点(ºC,常压):-111.9

6.       沸点(ºC,760mmHg):-112

7.       蒸发热(KJ/mol):12.5

8.       熔化热(KJ/mol):0.67

9.       生成热(KJ/mol):32.6

10.    比热容(KJ/(kg·K),25ºC):1.335

11.    临界温度(ºC):-3.5

12.    临界压力(MPa):4.864

13.    溶解性:溶于水,几乎不溶于乙醇、乙醚、苯、氯仿、硅氯仿和四氯化硅。

毒理学数据

接触硅烷眼睛会受到刺激,吸入会导致头痛、恶心、黏膜和呼吸道的刺激。在职业环境里暴露于硅烷的阈值极限的8小时时间权重平均值(TLVTWA)为5×10-6,这已经被美国政府工业卫生学者会议(ACGIH)所确定,并被美国职业安全和健康管理局(OSHA)所采用。使用时应作好防护。

生态学数据

暂无

分子结构数据

暂无

计算化学数据

1、   疏水参数计算参考值(XlogP):

2、   氢键供体数量:6

3、   氢键受体数量:6

4、   可旋转化学键数量:0

5、   互变异构体数量:

6、   拓扑分子极性表面积(TPSA):121

7、   重原子数量:7

8、   表面电荷:0

9、   复杂度:62.7

10、   同位素原子数量:0

11、   确定原子立构中心数量:0

12、   不确定原子立构中心数量:0

13、   确定化学键立构中心数量:0

14、   不确定化学键立构中心数量:0

15、   共价键单元数量:1

性质与稳定性

避免强氧化剂,强碱,卤素。标准状态下气体密度为1.44g/L,液体的相对密度为0.68(-185℃)。蒸气压11mmHg(1mmHg=133.322Pa)(-160℃)、102mmHg(-140℃)、470mmHg(-120℃)。红外光谱波长2191cm-1、914cm-1。在室温时为气体状态,在储存过程中,数月之内无显著分解。因为甲硅烷几乎不溶于润滑脂,可以储存在瓶塞涂有润滑脂的容器内。

化学性质:硅烷的化学性质比烷烃活泼得多,极易被氧化。在与空气接触时可发生自燃。25℃以下与氮不起作用,室温下与烃类化合物不起反应。与氧反应异常激烈,即使在-180℃温度下也会猛烈反应。

硅烷与氟氯烃类灭火剂会发生激烈反应,所以不能用这类灭火剂灭火。爆炸极限为0.8%~98%。

贮存方法

1.贮存于干燥、阴凉、通风的库房内。钢瓶应该直立固定贮存。
2.要保护钢瓶,防止极端温度和天气的影响。不可与易燃品、氧化剂共存混运,远离火源。
 

合成方法

1.如图组装装置。在反应瓶和加料漏斗里分别装入1.14g LiAlH4于70mL乙醚中的溶液和2.30mL SiCl4于50mL乙醚中的图硅烷的制备装置溶液。在整个合成过程中,把冷浴和指型冷却管分别保持在-15~-20℃和-78.5℃。将仪器抽空后,乙醚开始回流,此时必须要注意避免过多的骤沸。然后,将靠近反应装置的U形管接收器冷却到-95℃(用甲苯冻膏),其余四个接收器冷却到-196℃(液氮)。在搅拌下,用15min将SiCl4+乙醚溶液加入到LiAlH4悬浮液中。为了避免乙醚剧烈回流,使甲硅烷连续地以中等速度分出。调节反应器和真空管路之间的玻璃活塞便可以容易地控制反应速度。将SiCl4加完后,继续搅拌15~20min,以保证反应完全。在此期间,将反应器和真空系统切断以免乙醚逃逸过多。当甲硅烷从真空系统排净之后,将空气通入反应器,拆开真空系统。

图XIV-7   硅烷的制备装置

从液氮冷却的接收器中取出分离物(甲硅烷及痕量乙醚),集中到一起,将-95℃接收器接收的物料放掉(主要为乙醚)。为了除去痕量的乙醚,最好在-130℃的接收器通过5次(用戊烷冷却),而收集在-196℃接收器中,纯甲硅烷的收率为SiCl4的80%。杂质有氯化氢,此氯化氢,以-160℃接收器来代替-130℃接收器,几乎可以完全除去。最后残余的痕量氯化氢,用水或湿的1,2-二甲氧基乙烷处理之后,通过-130℃接收器可以除去。  

图Lely电炉

A—石墨圆筒;B—绝热区;

C—石墨棒;D—石墨发热体;

E—单晶成长坩埚;F—测温

用观察缝;G—测温窗

用途

1.电子工业用作氮化硅、外延材料等的摻杂源。半导体超纯硅原料,是半导体工业中单晶硅、多晶硅外延片以及二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃等化学气相沉积工艺的硅源,并广泛用于太阳能电池、硅复印机鼓、光电传感器、光导纤维及特种玻璃等的生产研制。
2. 用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学气相沉积、非晶硅薄膜淀积。

安全信息

危险运输编码:UN 2203 2.1

危险品标志:易燃 有害

安全标识:S9 S16 S33 S36/S37/S39

危险标识:R12 R17 R20

文献

暂无

备注

暂无

表征图谱