金刚石|Diamond|7782-40-3|参数，分子结构式，图谱信息 - 物竞beplay体育首页数据库-专业、全面的beplay体育首页基础数据库

结构式

物竞编号	1747
分子式	C
分子量	12.01
标签	半导体材料

编号系统

CAS号：7782-40-3

MDL号：MFCD00211867

EINECS号：231-953-2

RTECS号：HL4158550

BRN号：暂无

PubChem号：暂无

物性数据

1. 性状：粉末

2. 密度（g/mL at 25°C）：3.5

3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定

4. 熔点（ºC）：未确定

5. 沸点（ºC,常压）：未确定

6. 沸点（ºC,0.1mmHg）：未确定

7. 折射率（n20/D）：未确定

8. 闪点（ºC）：未确定

9. 比旋光度（º）：未确定

10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定

11. 蒸气压（mmHg,20ºC）：未确定

12. 饱和蒸气压（kPa,-164ºC）：未确定

13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定

14. 临界温度（ºC）：未确定

15. 临界压力（MPa）：未确定

16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定

17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定

18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定

19. 溶解性：未确定

毒理学数据

暂无

生态学数据

暂无

分子结构数据

暂无

计算化学数据

1、疏水参数计算参考值（XlogP）：-1.1

2、氢键供体数量：0

3、氢键受体数量：2

4、可旋转化学键数量：0

5、互变异构体数量：

6、拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.1

7、重原子数量：2

8、表面电荷：0

9、复杂度：0

10、同位素原子数量：0

11、确定原子立构中心数量：0

12、不确定原子立构中心数量：0

13、确定化学键立构中心数量：0

14、不确定化学键立构中心数量：0

15、共价键单元数量：1

性质与稳定性

金刚石晶体膜是一种人工合成的新型功能材料，它由金刚石微晶体构成，具有高硬度、低摩擦、高热导率（为铜的５倍）、低膨胀系数、良好抗热冲击性能、良好抗腐蚀性、极高电绝缘强度、宽波段高透过率和高电子折射率等多项复合性能。

本品无毒。

贮存方法

　产品应贮存放在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内。

合成方法

制备金刚石薄膜常用的方法是气相沉积法，该方法可分以下３种类型。

（１）热化学气相沉积（ＴＣＶＤ）法　在高温下使含碳气相组分发生热分解即形成金刚石薄膜。这一方法在早期的制备过程中是比较成功的方法，目前采用很多的热丝法（ＥＦＣＶＤ）以及对于沉积速率有着独特优越性的热化学焰法均属于此类。
（２）物理化学气相沉积法　用物理化学方法促进ＣＶＤ过程，例如等离子增强ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ或ＰＡＣＶＤ）、微波等离子体ＣＶＤ（ＭＷＣＶＤ）、射频等离子体ＣＶＤ（ＲＦＰＥＣＶＤ）和直流等离子体ＣＶＤ（ＤＣＰＥＣＶＤ）及电子增强ＣＶＤ（ＥＡＣＶＤ）等。
（３）物理气相沉积法　即用物理方法（蒸发、溅射、离子束等）直接从碳源获取碳原子或碳离子，将含碳气体转变为气态活性碳原子，定向沉积在物体表面并沉积生成一层致密、均匀、光滑的碳碳原子键结构的固态晶体膜。这类工艺的关键技术是利用高能离子在基材表面的微区内形成７５０００℃和压强１２×１０９Ｐａ的热尖峰，其持续时间为１０－２１ｓ，从而促进金刚石膜的形成。沉积工艺需在高能态、高真空条件下，严格控制电磁场能量，精确掌握含碳化合物的原材料配比和浓度，以及反应沉积速率。

用途

用于金属、塑料、玻璃等材料表面生成金刚石膜。如半导体及半导体器件热沉电阻、电绝缘层。

安全信息

危险运输编码：暂无

危险品标志：暂无

安全标识：暂无

危险标识：暂无

文献

暂无

备注

暂无

表征图谱

暂无图谱

编号系统

物性数据

毒理学数据

生态学数据

分子结构数据

计算化学数据

性质与稳定性

贮存方法

合成方法

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