物竞编号 | 14SE |
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分子式 | CF4 |
分子量 | 88.00 |
标签 | 四氟甲烷, 四氟甲烷四氟化碳, Tetraflouro methane, 低温制冷剂, 润滑剂, 红外检波管的冷却剂, 卤代烃类溶剂, 电子特种气体原料及中间体 |
CAS号:75-73-0
MDL号:MFCD00000371
EINECS号:200-896-5
RTECS号:FG4920000
BRN号:暂无
PubChem号:24857807
1.性状:无色无味气体[1]
2.熔点(℃):-183.6[2]
3.沸点(℃):-127.8[3]
4.相对密度(水=1):1.96(-184℃)[4]
5.相对蒸气密度(空气=1):3.04[5]
6.饱和蒸气压(kPa):13.33(-150.7℃)[6]
7.临界温度(℃):-45.5[7]
8.临界压力(MPa):3.74[8]
9.辛醇/水分配系数:1.18[9]
10.溶解性:不溶于水,溶于苯和氯仿。[10]
11.临界密度(g·cm-3):0.626
12.临界体积(cm3·mol-1):141
13.临界压缩因子:0.279
14.van der Waals面积(cm2·mol-1):4.600×109
15.van der Waals体积(cm3·mol-1):27.330
16.Lennard-Jones参数(A):4.5306
17.Lennard-Jones参数(K):158.90
18.气相标准声称热(焓)( kJ·mol-1) :-933.5
19.气相标准熵(J·mol-1·K-1) :261.40
20.气相标准生成自由能( kJ·mol-1):-888.8
21.气相标准热熔(J·mol-1·K-1):61.05
1.急性毒性 暂无资料
2.刺激性 暂无资料
3.其他[11] LCLo:895000ppm(大鼠吸入,15min)
1.生态毒性 暂无资料
2.生物降解性 暂无资料
3.非生物降解性 暂无资料
4.其他有害作用[12] 温室气体,其造成温室效应的作用是二氧化碳的数千倍。氟代烃的低层大气中比较稳定,而在上层大气中可被能量更大的紫外线分解。
1、摩尔折射率:7.3
2、摩尔体积(cm3/mol):66.8
3、等张比容(90.2K):105.0
4、表面张力(dyne/cm):6.0
5、介电常数:无可用
6、偶极距(10-24cm3):无可用
7、极化率:2.89
1.疏水参数计算参考值(XlogP):1.8
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:4
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:5
8.表面电荷:0
9.复杂度:19.1
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
常温常压下稳定,避免强氧化剂、易燃或可燃物。不燃气体,遇高热后容器内压增大,有开裂、爆炸危险。化学性质稳定,不燃。常温下只有液氨-金属钠试剂能发生作用。
储存注意事项[13] 储存于阴凉、通风的不燃气体专用库房。远离火种、热源。库温不宜超过30℃。应与易(可)燃物、氧化剂分开存放,切忌混储。储区应备有泄漏应急处理设备。
1.由碳与氟反应,或一氧化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟二氯甲烷与氟化氢反应,或四氯化碳与氟化银反应,或四氯化碳与氟化氢反应,都能生成四氟化碳。四氯化碳与氟化氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分,最后经精馏而得成品。
2.预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应,反应放热后,氟开始和碳化硅进行反应,通入等体积的干燥氮气以稀释氟气,使反应继续进行,生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化后,将其通过装有氢氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟化硅,随后通过硅胶和五氧化二磷干燥塔得到最终产品。
3.以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。产品经除尘,碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏,通过控制精馏温度,除去O2、N2、H2,得到高纯CF4。
1.用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺,也用作激光气体,用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。
2.是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体,四氟甲烷高纯气及四氟甲烷高纯气、高纯氧的混合气,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻,在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
3.用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。[14]
危险运输编码:UN 1982 2.2
危险品标志:暂无
安全标识:暂无
危险标识:暂无
[1~14]参考书:危险beplay体育首页 安全技术全书.第一卷/张海峰主编.—2版.北京;化学工业出版社,2007.6 ISBN 978-7-122-00165-8
暂无