物竞编号 | 0017 |
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分子式 | Ge |
分子量 | 72.61 |
标签 | 金属锗, 纯元素, 半导体材料 |
CAS号:7440-56-4
MDL号:MFCD00085310
EINECS号:231-164-3
RTECS号:LY5200000
BRN号:暂无
PubChem号:24855958
1. 性状:银白色有光泽金属,质脆,晶体锗具有金刚石结构。
2. 密度(g/mL,20℃):5.35
3. 相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定
4. 熔点(ºC):937.4
5. 沸点(ºC,常压):2830
6. 沸点(ºC,5.2kPa):未确定
7. 折射率:未确定
8. 闪点(ºC):未确定
9. 比旋光度(º):未确定
10. 自燃点或引燃温度(ºC):未确定
11. 蒸气压(mmHg, ºC):未确定
12. 饱和蒸气压(kPa,2080ºC):13.3
13. 燃烧热(KJ/mol):未确定
14. 临界温度(ºC):未确定
15. 临界压力(KPa):未确定
16. 油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定
17. 爆炸上限(%,V/V):未确定
18. 爆炸下限(%,V/V):未确定
19. 溶解性:不溶于水和盐酸及稀硫酸。能溶于浓硝酸、浓硫酸或王水。不溶于稀苛性碱溶液;可溶于熔融的苛性碱、硝酸盐或碳酸盐,生成锗酸盐。
通常对水无危害。
1.疏水参数计算参考值(XlogP):无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:1
8.表面电荷:0
9.复杂度:0
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
在空气中不被氧化。其细粉可在氯或溴中燃烧。锗化学性质稳定,常温下不与空气或水蒸气作用。由于锗与碳不起作用,通常使其在石墨坩埚中熔化。具有良好的半导体性质。不溶于水,可溶于浓硫酸、硝酸、王水中。用作半导体材料。
大鼠吸入LCLo3860mg/(m3·4h)。能刺激皮肤、黏膜和眼睛,空气中最大容许浓度(以Ge计)为1mg/m3。生产人员应穿工作服,戴口罩和乳胶手套等劳保用品。
应贮存在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内。防潮。不可与酸、碱类产品共贮混运。在运输过程中要防雨淋、防震。装卸时要小心轻放,防止碰撞和滚动,防止机械损伤。
1.工业生产有坩埚直拉法和悬浮区熔法。坩埚直拉法 拉晶前先将设备各部件、合金石英坩埚、高纯锗和籽晶进行清洁处理。将高纯锗经配料和掺杂,加入单晶炉的合金石英坩埚中,再经抽真空、熔化,在流通的氩气气氛下,人工引晶放肩和收尾。晶体的等径生长过程中,需根据情况适当调节功率,使其获得直径均匀的产品。经检测、称量,制得锗单晶成品。
可由二氧化锗用碳还原,再经冶炼制得。
2.将二氧化锗粉末装满石英盘,放于石英制反应管中。将反应管放入长度为石英盘的2~2.5倍的管式电炉的中心部位进行加热,送入精制氢气,升温至600℃±5℃。对100g的GeO2以2~2.5mL/min的速度通入氢气,经3~4h即可还原完毕。再升温至1000℃±10℃,经约30min,使细粉状的Ge熔融,然后将电炉以6mm/min的速度向氢出口方向移动。在石英盘内,锗从一端开始凝固,由于分凝离析效应,杂质在另一端被浓缩。
1.高纯度的锗是半导体材料,制造半导体器件用。掺有微量特定杂质的锗单晶,可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。高纯锗单晶具有高的折射系数,对红外线透明,不透过可见光和红外线,可作专透红外光的棱镜或透镜。锗化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。还用于辐射探测器及热电材料。
2.制造半导体器件用。
危险运输编码:暂无
危险品标志:暂无
安全标识:暂无
危险标识:暂无
暂无
暂无