物竞编号 | 0L7L |
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分子式 | Ga2O3 |
分子量 | 187.44 |
标签 | 三氧化二镓, Gallium(III) trioxide, Digallium trioxide, 高纯度化合物 |
CAS号:12024-21-4
MDL号:MFCD00011020
EINECS号:234-691-7
RTECS号:LW9650000
BRN号:暂无
PubChem号:24846434
1. 性状:α-Ga2O3为六方晶型,β-Ga2O3属于单斜晶型。
2. 密度(g/mL,25℃):未确定
3. 相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定
4. 熔点(ºC):1740
5. 沸点(ºC,常压):未确定
6. 沸点(ºC,1mmHg):未确定
7. 折射率:未确定
8. 闪点(ºC):未确定
9. 比旋光度(º):未确定
10. 自燃点或引燃温度(ºC):未确定
11. 蒸气压(20ºC):未确定
12. 饱和蒸气压(kPa,60ºC):未确定
13. 燃烧热(KJ/mol):未确定
14. 临界温度(ºC):未确定
15. 临界压力(KPa):未确定
16. 油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定
17. 爆炸上限(%,V/V):未确定
18. 爆炸下限(%,V/V):未确定
19. 溶解性:不溶于水。微溶于热酸或碱溶液。
通常对水体是稍微有害的,不要将未稀释或大量产品接触地下水,水道或污水系统,未经政府许可勿将材料排入周围环境。
暂无
1.疏水参数计算参考值(XlogP):无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:3
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积43.4
7.重原子数量:5
8.表面电荷:0
9.复杂度:34.2
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
常温常压下稳定
避免光,明火,高温
是极难挥发的氧化物。另外,由于灼烧强度不同,对酸的溶解度也有差别,在低温灼烧的产品虽然可溶解于酸、碱,但高温灼烧的产品就是不溶的。有机镓化合物的热分解虽然也可生成三氧化二镓,但必须注意未燃烧碳的还原作用,不要生成挥发性低级氧化物Ga2O,和滤纸一起灼烧时,也同样要注意。
贮存于阴凉、干燥的库房内
1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液,煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止,在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时,在250℃就和Ga2O3反应,生成挥发性GaCl3。
2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极,溶解于5%~20%H2SO4溶液里,向溶液加氨水,冷却,将Ga(NH4)(SO4)2反复结晶,在105℃干燥,在过量氧的条件下在800℃灼烧2h,则得到纯度为9999%~99.9999%的产品。
3.称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中,加入高纯硝酸,使镓全部溶解,然后过滤,滤液倒入三颈烧瓶中,移至电炉上蒸发(在通风橱中进行),浓缩到接近结晶时,将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ga(NO3)3放在马弗炉中进行灼烧,温度控制在550℃,灼烧5h,待冷却后取出成品,得1.2kg高纯氧化镓。
用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。
用作高纯分析试剂、半导体材料。
危险运输编码:暂无
危险品标志:暂无
安全标识:S24/25
危险标识:暂无
暂无
暂无