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结构式
| 物竞编号 | 0LBM |
|---|---|
| 分子式 | GaSb |
| 分子量 | 191.48 |
| 标签 | 半导体材料 |
编号系统
CAS号：12064-03-8
MDL号：MFCD00016101
EINECS号：235-058-8
RTECS号：暂无
BRN号：暂无
PubChem号：24883831
物性数据
1. 性状：类似锗的化合物型半导体，灰白色，立方晶系闪锌矿型结晶。
2. 密度（g/mL,25℃）：5.61
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定
4. 熔点（ºC）：706
5. 沸点（ºC,常压）：未确定
6. 沸点（ºC，1mmHg）：未确定
7. 折射率：未确定
8. 闪点（ºC）：未确定
9. 比旋光度（º）：未确定
10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定
11. 蒸气压（20ºC）：未确定
12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定
13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定
14. 临界温度（ºC）：未确定
15. 临界压力（KPa）：未确定
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定
19. 溶解性：不溶于水
毒理学数据
主要的刺激性影响：
在皮肤上面：刺激皮肤和粘膜
在眼睛上面：刺激的影响
致敏作用：没有已知的敏化现象
生态学数据
通常对水体是极其有害的，即使小量产品也不能接触地下水，水道或污水系统
分子结构数据
暂无
计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:2
8.表面电荷:0
9.复杂度:10
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
性质与稳定性
常温常压下稳定
避免的物料 氧化物 酸 碱
锑化镓单晶的重要特征是无论用什么方法制备，室温下最高纯度的锑化镓单晶总是Ｐ型，其机理尚不完全清楚，一种主要观点认为是由过剩Ｓｂ空位造成的。它的价带自旋轨道的分裂可以得到空穴离化系数增大的能级，可改善长波长雪崩光电探测器（ＡＰＤ）的信噪比。由于ＧａＳｂ单晶的临界屈服应力较大（１５．８Ｎ／ｍｍ２），故其位错密度不高（不超过１０３数量级），适于制作ＧａＩｎＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ激光器、ＧａＩｎＡｓＳｂ探测器和ＧａＡｓ／ＧａＳｂ叠层太阳电池（转换效率超过３０％）。
贮存方法
常温密闭，阴凉通风干燥
合成方法
把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中，装入石英管内，并用氢气流充分置换掉空气之后，然后在氢气流中加热石英管至720～730℃使其化合。
为了制得GaSb单晶，可以从石英管中慢慢取出，使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时，所用原料盘及石英管均应是高纯度的制品，必要时可进行区域熔融提纯。用途
用于制造激光器，探测器，高频器件，太阳电池。
安全信息
危险运输编码：UN 1549 6.1/PG 3
危险品标志：
有害 
危害环境
安全标识：S61
文献
暂无
备注
暂无
表征图谱
暂无图谱
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