物竞编号 | 0PYA |
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分子式 | lnP |
分子量 | 145.79 |
标签 | Indium phosphide, Indium(III) Phosphide, Indium monophosphide, 半导体材料 |
CAS号:22398-80-7
MDL号:MFCD00016153
EINECS号:244-959-5
RTECS号:NL1800000
BRN号:暂无
PubChem号:24862718
1. 性状:单晶呈银灰色,质地较软
2. 密度(g/mL,25/4℃):未确定
3. 相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定
4. 熔点(ºC):1600
5. 沸点(ºC,常压):未确定
6. 沸点(ºC,5.2kPa): 未确定
7. 折射率: 未确定
8. 闪点(ºC): 未确定
9. 比旋光度(º): 未确定
10. 自燃点或引燃温度(ºC): 未确定
11. 蒸气压(kPa,25ºC): 未确定
12. 饱和蒸气压(kPa,60ºC): 未确定
13. 燃烧热(KJ/mol):未确定
14. 临界温度(ºC): 未确定
15. 临界压力(KPa): 未确定
16. 油水(辛醇/水)分配系数的对数值: 未确定
17. 爆炸上限(%,V/V):未确定
18. 爆炸下限(%,V/V): 未确定
19. 溶解性:极微溶于无机酸
暂无
对水是稍微危害的,若无政府许可,勿将材料排入周围环境
暂无
1.疏水参数计算参考值(XlogP):无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:2
8.表面电荷:0
9.复杂度:10
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
1.如果遵照规格使用和储存则不会分解
避免接触氧化物,酸。极微溶于无机酸。介电常数:108。电子迁移率:约4600 cm2/V·s。空穴迁移率:约150 cm2/V·s。具有半导体的特性。
2.它有较高的极限速度,所以,InP高频器件的工作极限频率比GaAs更高,电子扩散速率与电子迁移率之比小于GaAs,故更利于制作低噪声器件。
保持贮藏器密封
放入紧密的贮藏器内,储存在阴凉,干燥的地方
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法,并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延,多采用In-PCl3-H2系统的歧化法,在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中,已净化的高纯氢气经计量通入,氢气也用来稀释三氯化磷,此时彭泡器保持在0℃,通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段,将盛有铟的石英舟放在电炉中源区,通入氢气并加热到700~850℃,再用氢气将三氯化磷引入,在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段,铟源保持在原位置不加热,单晶衬底放在电炉的第二加温区后,在氢气氛下加热到600~750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀,清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管,并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入,这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应,在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后,向系统中通入纯氢气,将两个温区冷却到室温,取出产物,制得磷化铟成品。
2.取化学计量的铟和红磷封入石英管中,反应温度在700℃经350~400h,可制得InP,收率为94%~95%。
3.用铟和比化学计算量略多的Zn3P2按合成AlP相同的方法,在700~800℃下加热1~2日则可制得磷化铟。本法收率低。产物用稀盐酸处理就可以得到纯的InP。
4.由卤素反应系统制取的方法。在高真空中,加热650℃以上,使InP升华。欲制得纯的InP,要使用过量的In。
用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1.1~1.6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。
危险运输编码:UN3288
危险品标志:暂无
安全标识:S24/25
危险标识:暂无
暂无
暂无